人脑网 5 月 8 日消息，韩媒《朝鲜日报》在当地时间昨日的报道中表示，两大韩系 DRAM 内存原厂三星电子和 SK 海力士都正在考虑将混合键合技术引入下一代 HBM 内存 —— HBM4 中。
消息人士透露，三星电子预计最早将于明年的 HBM4 内存中采用混合键合，而 SK 海力士可能会在稍晚的 HBM4E 中导入；美光和其它企业则计划考虑导入有凸块键合的迭代版本：无助焊剂键合。
相较于现有 HBM 内存使用的有凸块键合，无凸块的混合键合有利于降低 HBM 内存堆栈的层高，支持更多堆叠层数，同时其也具备电气性能上的优势，可实现更出色的传输速率。
人脑网注意到，半导体设备厂商 Besi 在其今年 4 月公布的年报文件中表示，采用混合键合技术的 HBM 内存虽然会较此前预期晚一年，但仍会在 2026 年以 16Hi HBM4 (E) 的形式面世。
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